Жорес алферов биография семья. Даты из биографии Жореса Алферова

Родился в Витебске в 1930 г. Имя получил в честь Жана Жореса, основателя газеты L’Humanite и лидера французской социалистической партии.

Окончил с золотой медалью школу и в 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института им. В.И. Ульянова (ЛЭТИ).

С 1953 г. работал в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе, принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов. В 1970 г. защитил докторскую диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках. В 1971 г. был удостоен первой международной награды - золотой медали Стюарта Баллантайна Франклиновского института (США), получившей название малой нобелевской премии.

Королевская Академия Наук Швеции присудила Жоресу И. Алферову Нобелевскую премию по физике за 2000 год - за труды, заложившие основы современной информационной техники - за развитие полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Развитие волоконно-оптической связи, интернета, солнечной энергетики, мобильной телефонии, светодиодной и лазерной техники в значительной степени основано на исследованиях и открытиях Ж.И Алферова.

Так же выдающийся вклад Ж.И. Алферова отмечен многочисленными международными и отечественными премиями и наградами: Ленинской и Государственной премиями (СССР), золотой медалью Велькера (ФРГ), премией Киото (Япония), премией А.Ф. Иоффе, золотой медалью Попова (РАН), Государственной премией РФ, Демидовской премией, премией «Глобальная энергия» (Россия), премией и золотой медалью К. Бойера (США, 2013 г.) и множеством других.

Ж.И. Алферов избран почетным и иностранным членом более 30 зарубежных академий наук и научных обществ, в том числе национальных академий наук: Италии, Испании, Китая, Кореи и многих других. Единственный из российских ученых, кто одновременно был избран иностранным членом Национальной Академии наук США и Национальной инженерной академии наук США. Более 50 университетов из 20 стран избрали его почетным доктором и профессором.

Ж.И. Алферов - полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», отмечен государственными наградами СССР, Украины, Белоруссии, Кубы, Франции, Китая.

С 1990 г. - вице-президент АН СССР, с 1991 г. - вице-президент РАН. Является одним из виднейших организаторов академической науки в России и активным сторонником создания образовательных центров на базе ведущих институтов РАН. В 1973 году при ФТИ им была создана первая базовая кафедра оптоэлектроники в ЛЭТИ. Был директором (1987-2003 г.) и научным руководителем (2003-2006 г.) ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, а с 1988 г. деканом созданного им Физико-технического факультета Ленинградского политехнического института (ЛПИ). В 2002 г. создал Академический физико-технологический университет - первое высшее учебное заведение, входящее в систему РАН. В 2009 г. к университету был присоединён созданный им в 1987 г. на базе ФТИ Лицей «Физико-техническая школа» и Научный центр нанотехнологий и организован Санкт-Петербургский академический университет - научно-образовательным центр нанотехнологий РАН (в 2010 г. получил статус Национального исследовательского университета), в котором стал ректором. Создал собственную научную школу: среди его учеников более 50 кандидатов, десятки докторов наук, 7 членов-корреспондентов РАН. С 2010 г. - сопредседатель вместе с Нобелевским лауреатом Роджером Корнбергом (США) Научно-консультативного совета фонда «Сколково».

В феврале 2001 г. создал Фонд поддержки образования и науки (Алферовский фонд), вложив в него значительную часть своей Нобелевской премии. Первая благотворительная программа фонда - «Установление пожизненной материальной помощи вдовам академиков и членов-корреспондентов РАН, работавших в Санкт-Петербурге». Фонд учредил стипендии учащимся российских школ и лицеев, студентам и аспирантам вузов, премии и гранты молодым ученым. В ряде стран находятся представительства и самостоятельные фонды поддержки образования и науки, учрежденные Ж.И. Алферовым и созданные при его содействии: в Республике Беларусь, в Казахстане, в Италии, на Украине, в Азербайджане.

Жорес Алферов – живая легенда отечественной науки. Ученый, открытия которого стали основой для создания современных электронных устройств. Наш мир уже невозможно представить без лазеров, полупроводников, светодиодов и оптоволоконных сетей. Все это стало доступно человечеству благодаря изобретениям Жореса Алферова и воспитанных им молодых ученых.

Заслуги российского (в прошлом – советского) физика высоко отмечены во всех уголках Земли и даже в космосе. Астероид (3884) Alferov носит имя лауреата Нобелевской премии, академика РАН и почетного члена международных научных сообществ.

Детство и юность

Детство ученого выпало на тяжелые годы. Мир сильно изменился с тех пор, как в семье коммунистов Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм родился младший сын. Старшего сына родители назвали Марксом (он погиб в последние дни Корсунь-Шевченковской битвы), а младший получил имя в честь Жана Жореса, вождя французских социалистов.

Семья Жореса Алферова: родители и брат

Родившийся 15 марта 1930 года в Витебске ребенок до войны успел исколесить вместе с родителями стройки Сталинграда, Новосибирска, Барнаула и Сясьстроя. Если бы семья Алферовых осталась жить в Белоруссии, то мировая наука могла бы понести огромную утрату, так и не узнав о нем. Национальность Анны Розенблюм стала бы причиной гибели и матери, и сына от рук нацистов.


Годы Второй мировой войны семья жила в Свердловской области, но нормально учиться в школе будущему ученому в это время не довелось. Однако по возвращении в Минск Жорес быстро наверстал упущенное время. Школу закончил с золотой медалью. Сейчас эта школа называется гимназией №42 и носит имя знаменитого ученика.

Учитель физики Яков Борисович Мельцерзон заметил способности юноши и рекомендовал поступать на энергетический факультет Белорусского Политеха. Определившись с кругом научных интересов, Алферов перевелся в ЛЭТИ. В 1952 году начал научную карьеру.

Наука

Выпускник мечтал работать в Физтехе под руководством Абрама Федоровича Иоффе. Физико-технический институт был в послевоенное время легендой. В шутку его именовали «детским садом Иоффе» - именно там росли молодые , и . Там Жорес Иванович стал частью команды, создавшей первые советские транзисторы.


Транзисторы стали темой для кандидатской диссертации молодого ученого. Впоследствии Жорес Иванович переключился на изучение гетероструктур (искусственных кристаллов) и движением в них света и других видов излучения. В его лаборатории работали с лазерами, уже в 1970 году там создали первые в мире солнечные батареи. Ими оснащали спутники, они снабжали электроэнергией орбитальную станцию «Мир».

Занятия прикладной наукой шли параллельно с преподавательской работой. Жорес Иванович писал книги и статьи. Руководил кафедрой оптоэлектроники и лично отбирал студентов. Увлеченные физикой школьники посещали его ежегодные курсы лекций «Физика и жизнь».


Сейчас при Академическом университете, бессменным ректором которого является Жорес Алферов, действует лицей «Физико-техническая школа». Лицей является нижней ступенью научно-образовательного учреждения, в который входит и мощный научно-исследовательский центр. Академик видит в лицеистах будущее российской науки.

«Будущее России - наука и технологии, а не распродажа сырья. И будущее страны не за олигархами, а за кем-то из моих учеников».

Эта цитата из публичного выступления Жореса Ивановича раскрывает веру ученого в победу пытливого разума над желанием обогащения.

Личная жизнь

Возможно, первым научным успехам ученого поспособствовала неудача в личной жизни. Первый брак Жореса Ивановича распался со скандалом. Красавица жена с помощью влиятельных грузинских родственников отсудила у мужа при разводе ленинградскую квартиру. В собственности Алферова остались лишь мотоцикл и раскладушка, на которой он ночевал в лаборатории. Разрыв отношений привел к полной потере отношений отца с дочерью.


Вторично ученый женился только в 1967 году, и этот брак выдержал испытание временем. Вместе с Тамарой Дарской Жорес воспитал ее дочь Ирину и общего сына Ивана. Рождение сына совпало с другим событием в биографии - получением Ленинской премии. Дети давно выросли, Жорес Иванович успел стать дедушкой. У него два внука и внучка.

Последние годы

Авторитет ученого в мировой науке опирается на более 500 научных работ и почти сотню изобретений. Но деятельность Нобелевского лауреата не ограничивалась физикой. Летом 2017 года в стенах Самарского университета академик прочитал открытую лекцию на тему: «Альберт Эйнштейн, социализм и современный мир», где раскрыл вопросы взаимодействия ученых и правителей.


В своих выступлениях ученый называл положение науки в России ужасающим и отстаивал права РАН на самоуправление и достойное финансирование. Ученый считал, что государство должно обеспечивать граждан бесплатной медициной, образованием и жильем, а в противном случае эта структура бесполезна.

Жорес Иванович принимал непосредственное участие в управлении государством. Еще в 1989 году его выбрали народным депутатом СССР от Академии Наук. С тех пор академик постоянно избирался в российскую Думу, активно отстаивая интересы ученых и простых граждан.


В августе 2017 года журнал Форбс включил Жореса Алферова в сотню самых влиятельных россиян последнего столетия. Несмотря на солидный возраст, нобелевский лауреат на видеозаписях и фото выглядел бодрым и уверенным в себе.

Смерть

2 марта 2019 года Жорес Алферов в возрасте 88 лет. Как рассказал журналистам главврач больницы Российской академии наук Олег Чагунава, причиной смерти нобелевского лауреата стала острая сердечно-легочная недостаточность. Накануне Алферов несколько месяцев наблюдался у медиков с жалобой на гипертонию.

Организацию похорон прославленного физика взяла на себя КПРФ.

Награды и достижения

  • 1959 - Орден «Знак Почёта»
  • 1971 - Медаль Стюарта Баллантайна (США)
  • 1972 - Ленинская премия
  • 1975 - Орден Трудового Красного Знамени
  • 1978 - Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество)
  • 1980 - Орден Октябрьской Революции
  • 1984 - Государственная премия СССР
  • 1986 - Орден Ленина
  • 1987 - Золотая медаль Генриха Велкера (Симпозиум по GaAs)
  • 1989 - Премия имени Карпинского (ФРГ)
  • 1993 - XLIX Менделеевский чтец
  • 1996 - Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН)
  • 1998 - Почетный доктор СПбГУП
  • 1999 - Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени
  • 1999 - Демидовская премия (Научный Демидовский фонд)
  • 1999 - Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН)
  • 2000 - Нобелевская премия (Швеция)
  • 2000 - Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени
  • 2000 - Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки)
  • 2001 - Орден Франциска Скорины (Беларусь)
  • 2001 - Премия Киото (Япония)
  • 2001 - Премия В. И. Вернадского (Украина)
  • 2001 - Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда»
  • 2002 - Государственная премия Российской Федерации
  • 2002 - Золотая медаль SPIE
  • 2002 - Награда «Золотая тарелка» (США)
  • 2003 - Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина)
  • 2005 - Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени
  • 2005 - Международная энергетическая премия «Глобальная энергия»
  • 2008 - Звание и медаль Почётного профессора МФТИ
  • 2009 - Орден Дружбы народов (Беларусь)
  • 2010 - Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени
  • 2010 - Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО
  • 2011 - Звание «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета»
  • 2013 - Международная премия Карла Боэра
  • 2015 - Орден Александра Невского
  • 2015 - Золотая медаль имени Низами Гянджеви (Азербайджан)
  • 2015 - Звание «Почётный профессор МИЭТ»

Всемирно известный российский физик Жорес Иванович Алфёров - знаменитый академик, полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством», лауреат Нобелевской премии.

Алфёров, Жорес Иванович - уроженец г. Витебска республики Беларусь. В 1930 году в семье идейных и последовательных коммунистов родился мальчик, никто не мог предположить, что в будущем он станет знаменитым ученым, имя которого будет связано с большими открытиями в области физики.

Старшего сына родители назвали в честь Карла Маркса, немецкого основателя экономического философского учения - Марксом, к сожалению, жизнь его была короткой, он погиб в юном возрасте на войне, в ожесточенных боях в Корсунь-Шевченковской операции. Младшему сыну досталось имя Жорес, в честь Жореса Жана одного из основателей и идейного руководителя Великой французской революции.

Жизнь семьи была на колесах, отец - «красный директор», направлялся по заданию Партии на важные участки промышленного фронта связанные с обороной страны. В годы войны отец работал в глубоком тылу в Свердловской области, там Жорес успешно закончил семь классов.

В 1945 году вся семья переехала в Минск, который был разрушен в результате сильных бомбежек. Ж.И. Алферов поступил в 42 школу и закончил ее с золотой медалью в 1948 году. Прекрасные знания в области физики, ставшие основой для его дальнейшей ученой деятельности, заложил скромный учитель физики «от бога» Я.Б. Мельцерзон.

Местом дальнейшей учебы была выбрана северная столица. Талантливый юноша без вступительных экзаменов был зачислен студентом первого курса Электротехнического института (г. Ленинград), факультет электронной техники. В 1953 году получив диплом, как перспективный студент, был оставлен работать и заниматься научными исследованиями в стенах института (лаборатория В.М. Тучкевича). С талантливой командой ученых Жорес Иванович занимался разработкой отечественных транзисторов, в наше время они используются во всех электронных приборах. В 1953 года Алферов представил первый надежный доморощенный транзистор и силовые германиевые (Ge),кремниевые (Si) приборы.

В 1961 Ж.И. Алферов защитил кандидатский минимум, который был результатом десятилетних исследований и трудов. В 1970 год, перспективный физик представил на обсуждение и блестяще защитил докторскую диссертацию, в которой все также были представлены исследования по полупроводникам. В 1972 году Алфёрову присвоено профессорское звание, а в 1973 году, он уже заведует кафедрой оптоэлектроники в родном институте, куда пришел учиться робким юношей.

1990-е. сложные для научных и исследовательских работ годы, но Алфёров не перестает заниматься наноэлектроникой, которая в будущем станет основой зонной инженерии. 10 октября 2000 года, Алферов за свою научную деятельность получил признание - ему была вручена Нобелевская премия по физике за исследовательскую работу в области полупроводников. С 2010 года ученому было предложено возглавить инновационный научный центр в Сколково, где будут все возможности для проведения научных экспериментов и опытов в области высоких компьютерных технологий, ядерных и космических отраслях, новых разработок в медицине, микробиологии, биохимии.

За свою длинную научную жизнь Ж.И. Алферов написал сотню трудов, монограмм, статей для научных конференций, журналов, книг. Получил награды в различных странах, отечественные и международные премии. Стал почетным ученым многих научных заведений и представителем международных общественных организаций. Был удостоен Орденом Ленина (1986); Орденом Октябрьской Революции (1980); Орденом Трудового Красного Знамени (1975); Орденом «Знак Почёта» (1959).

Ж.И. Алферов, является полным кавалером ордена «За заслуги перед Отечеством»:

1999 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» III с. — за колоссальный вклад в становление и продвижение отечественной науки, и подготовку квалифицированных кадров из среды талантливой молодежи.

2000 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» II с. за научные достижения и в сфере образования и воспитания научных кадров.

2005 год - Орден «За заслуги перед Отечеством» I с. — за существенный вклад в развитие и продвижения отечественной науки и результативную общественную деятельность на пользу общества и государства.

2010 г. Орден «За заслуги перед Отечеством» IV с.— за общественную и научную деятельность на благо Отечества.



Жорес Алферов изменил представление о том, что электроника - это прерогатива японцев и американцев. Такой привычный мобильный телефон, интернет по оптическому волокну, светодиоды, батареи, аккумулирующие солнечную энергию - все это благодаря использованию полупроводников полученных кропотливой работой Ж.И. Алферова и его команды ученых. Проигрыватели для компакт дисков и дисководы в компьютерах без «лазера Алферова» просто обычное железо. В наше время ученый работает над созданием современного, сверхскоростного, компактного, компьютера.

Ж.И. Алферов дважды женат. Во втором браке, имеет сына, который к огорчению отца не пошел по его стопам, а занимается бизнесом. У него две дочери родная от первого брака и приемная дочь - ребенок второй жены. Любимое место отдыха с. Комарово, дача на берегу Финского Залива.

Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ

10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова были разработаны первые советские транзисторы.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.

Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.

Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

В 1973 г. академик Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые. Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты. Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали членами-корреспондентами РАН.

Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.

Академик Ж.И. Алферов делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.

По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.

Академик Ж.И. Алферов - крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов, свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники. Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.

Профессор Быстров Ю.А.

Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Ж.И. АЛФЕРОВ: СТУДЕНТ, ПРОФЕССОР - НОБЕЛЕВСКИЙ ЛАУРЕАТ

10 октября 2000 г. Королевская академия наук Швеции опубликовала имена ученых, которым присуждалась Нобелевская премия по физике. Премии были удостоены Ж.И. Алферов (Россия) и Г. Кремер (США) за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной и оптоэлектроники. В публикуемой краткой биографической справке о лауреатах указывается высшее учебное заведение, которое окончил лауреат. Таким образом, весь мир узнал, что Нобелевский лауреат Жорес Иванович Алферов окончил Ленинградский электротехнический институт имени В.И. Ульянова (Ленина).

Студент Жорес Алферов учился на факультете электронной техники и закончил его в 1952 г., получив диплом с отличием. Годы учебы Ж.И. Алферова в ЛЭТИ совпали с началом студенческого строительного движения. В 1949 г. он в составе студенческого отряда участвовал в строительстве Красноборской ГЭС - одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

Еще в студенческие годы Ж.И. Алферов начал свой путь в науке. Под руководством доцента кафедры основ электровакуумной техники Наталии Николаевны Созиной он занимался исследованиями полупроводниковых пленочных фотоэлементов. Его доклад на институтской конференции студенческого научного общества (СНО) в 1952 г. был признан лучшим, и за него он получил первую в своей жизни научную премию - поездку на строительство Волго-Донского канала. Несколько лет он являлся председателем СНО факультета электронной техники.

После окончания ЛЭТИ Ж.И. Алферов был направлен на работу в Ленинградский физико-технический институт и стал работать в лаборатории В.М. Тучкевича. Здесь при участии Ж.И. Алферова были разработаны первые советские транзисторы.

В начале 60-х годов Ж.И. Алферов начал заниматься проблемой гетеропереходов. Открытие Ж.И. Алферовым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений -«сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах -позволило кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Своими открытиями Ж.И. Алферов заложил основы современной информационной техники, в основном через разработку быстрых транзисторов и лазеров. Созданные на базе исследований Ж.И. Алферова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Это лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей Интернета, это технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройства, декорирующие товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и многое другое.

Под научным руководством Ж.И. Алферова были выполнены исследования солнечных элементов на основе гетероструктур, что привело к созданию фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения в электрическую энергию, коэффициент полезного действия которых приблизился к теоретическому пределу. Они оказались незаменимыми для энергообеспечения космических станций, а в настоящее время рассматриваются как один из основных альтернативных источников энергии взамен убывающим запасам нефти и газа.

Благодаря фундаментальным работам Ж.И. Алферова были созданы светодиоды на гетероструктурах. Светодиоды белого света благодаря своей высокой надежности и эффективности рассматриваются как источники освещения нового типа и в ближайшем будущем заменят традиционные лампы накаливания, что будет сопровождаться гигантской экономией электроэнергии.

К числу научных направлений, которые активно развивает Ж.И. Алферов, относится разработка лазеров на основе квантовых точек. Использование массивов таких квантовых точек позволяет снизить электропотребление лазеров, а также повысить стабильность их характеристик при увеличении температуры. Первый в мире лазер на квантовых точках создан группой ученых, работающих под руководством Ж.И. Алферова. Характеристики этих приборов постоянно улучшаются, и сегодня они по многим показателям превосходят все типы полупроводниковых лазеров.

Академик Ж.И. Алферов прекрасно понимает, что наука и образование неразделимы. Поэтому он целенаправленно формирует систему подготовки научных кадров по новейшим направлениям науки и техники, основанную на широком привлечении к учебному процессу академических институтов и ведущих ученых РАН.

В 1973 г. академик Ж.И. Алферов, используя непрекращающуюся тесную связь с ЛЭТИ, создает и возглавляет на своем родном факультете электронной техники первую в стране базовую кафедру в ФТИ им. А.Ф. Иоффе, преподавателями которой становятся известные ученые. Система подготовки научных кадров на базовой кафедре дала прекрасные результаты. Когда в 2003 г. отмечалось тридцатилетие кафедры, то были приведены следующие данные. За 30 лет кафедра выпустила около шестисот высококвалифицированных специалистов, подавляющее большинство которых стало работать в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Более четырехсот человек защитили кандидатские диссертации, свыше тридцати - докторские, а Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и А.Е. Жуков стали членами-корреспондентами РАН.

Организация кафедры оптоэлектроники явилась началом деятельности Ж.И. Алферова по созданию целостной образовательной структуры. В 1987 г. он создает физико-технический лицей, в 1988 г. — организует физико-технический факультет в Санкт-Петербургском государственном политехническом университете, деканом которого он является. В 2002 г. по инициативе Ж.И. Алферова постановлением президиума РАН создан Академический физико-технологический университет, который в 2006 г. получил статус государственного учреждения высшего профессионального образования. Созданные образовательные и научно-исследовательские структуры в 2009 г. были объединены и получили название Санкт-Петербургский академический университет -научно-образовательный центр нанотехнологий РАН. Входящие в него подразделения размещены в прекрасных зданиях, построенных благодаря усилиям Ж.И. Алферова.

Академик Ж.И. Алферов делает все от него зависящее, чтобы поддержать международный авторитет российской науки. По его предложению президент Российской Федерации своим указом установил международную премию «Глобальная энергия», которая ежегодно присуждается троим российским и иностранным ученым, внесшим выдающийся вклад в развитие энергетики.

По инициативе и под председательством Ж.И. Алферова проводится Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество». В рамках этого форума первая встреча Нобелевских лауреатов «Наука и прогресс человечества» состоялась в год трехсотлетия Санкт-Петербурга. В ней приняли участие 20 Нобелевских лауреатов в области физики, химии, физиологии и медицины, экономики. Начиная с 2008 г. встречи Нобелевских лауреатов стали ежегодными. Форум 2008 г. был посвящен нанотехнологиям. Форум 2009 г. Темой форума были информационные технологии. Тема форума 2010 г. - экономика и социология в XXI веке.

Академик Ж.И. Алферов - крупнейший советский российский ученый, автор более 500 научных трудов, свыше 50 изобретений. Его работы получили мировое признание, вошли в учебники. Труды Ж.И. Алферова отмечены Нобелевской премией, Ленинской и Государственными премиями СССР и России, премией им. А.П. Карпинского (ФРГ), Демидовской премией, премией им. А.Ф. Иоффе и золотой медалью А.С. Попова (РАН), Хьюлетт-Паккардовской премией Европейского физического общества, медалью Стюарта Баллантайна Франклинского института (США), премией Киото (Япония), многими орденами и медалями СССР, России и зарубежных стран.

Жорес Иванович избран пожизненным членом института Б. Франклина и иностранным членом Национальной академии наук и Национальной инженерной академии США, иностранным членом академий наук Беларуси, Украины, Польши, Болгарии и многих других стран. Он является почетным гражданином Санкт-Петербурга, Минска, Витебска и других городов России и зарубежья. Почетным доктором и профессором его избрали ученые советы многих университетов России, Японии, Китая, Швеции, Финляндии, Франции и других стран.

Все эти награды и звания заслуженно увенчали труд не только исследователя, но и организатора науки. Пятнадцать лет Ж.И. Алферов возглавлял прославленный Физико-технический институт А.Ф. Иоффе РАН. Вот уже более двадцати лет Жорес Иванович бессменный председатель Санкт-Петербургского научного центра РАН, главной задачей которого является координация научной деятельности всех петербургских академических институтов. Ж.И. Алферов - вице-президент РАН.

Профессор Быстров Ю.А.